Based on this YouTube video's total view count of 92.6K views and industry-standard rates, the estimated total earning is $65 - $185 through ad revenue. Historical data is not yet available to calculate daily, weekly, or monthly averages.

Explore GaN-транзистор выдержал 3,4 киловольта — учёные нашли способ победить пробой with 92,667 views, 1,441 likes, and 46 comments. Experience the impact of this video content that has captured audience attention.

Исследователи EPFL — Федеральной политехнической школы Лозанны разработали новую архитектуру силовых устройств на основе нитрида галлия GaN, которая позволяет транзисторам выдерживать напряжение свыше 3,4 кВ, а диодам Шоттки — более 3,9 кВ. Для современных GaN-компонентов это серьёзный результат. Многие коммерческие силовые устройства работают примерно в классе 650 В, тогда как переход к нескольким киловольтам открывает путь к совсем другим областям применения — мощным электромобилям, промышленным преобразователям, солнечным электростанциям и системам питания огромных ИИ-дата-центров. Главная проблема высоковольтных GaN-транзисторов — неравномерное распределение электрического поля. В отдельных участках поля возникает резкий пик, из-за которого устройство пробивается задолго до того, как материал достигает своего теоретического предела. Команда EPFL предложила архитектуру intrinsic polarization superjunction — iPSJ. В структуре формируются два сверхтонких проводящих слоя: двумерный электронный газ 2DEG и двумерный дырочный газ 2DHG. Плотность электронов составила около 1,03 × 10¹³ см⁻², а дырок — 1,05 × 10¹³ см⁻². Разница — менее 2%. Такой баланс позволяет практически нейтрализовать заряд в рабочей области и сделать электрическое поле значительно более равномерным. Результат: экспериментальные диоды выдерживали до 3,9 кВ при удельном сопротивлении всего 4,7 мОм·см². Для сравнения, аналогичная структура без правильного баланса заряда выходила из строя уже при напряжении ниже 1 кВ. Транзисторы на той же технологии выдерживали более 3,4 кВ, причём без традиционных field plates. Устройства сохранили стабильность и при высокой температуре: диоды продолжали выдерживать более 3,3 кВ при 125 °C. Особенно интересно, что структуры изготовлены как GaN-on-Silicon — нитрид галлия выращен на сравнительно дешёвой кремниевой подложке. Исследователи считают, что именно кремниевая подложка и буфер сейчас ограничивают максимальное напряжение, поэтому потенциал архитектуры может быть ещё выше. Технология пока остаётся экспериментальной, но в перспективе такие GaN-компоненты могут сделать силовую электронику компактнее, эффективнее и мощнее — от электромобилей и солнечных инверторов до мегаваттных стоек искусственного интеллекта. #GaN #НитридГаллия #Транзисторы #Полупроводники #PowerElectronics #EPFL #GaNTransistor #Электроника #ДатаЦентры #ИскусственныйИнтеллект #Электромобили #СиловаяЭлектроника #Semiconductors #AIDataCenter #EV #Чипы #НовыеТехнологии #ТехнологииБудущего

With SocialCounts.org’s view counter, track your YouTube video’s live view count and YouTube likes count in real time with fast, reliable updates.

Watch every YouTube video live view count rise with our real-time YouTube views tracker—built for accuracy and minimal delay.

Follow YouTube real time views as they happen, using our dedicated view counter for YouTube videos.

Get up-to-date live view count on YouTube and see real-time growth with SocialCounts.org’s smart tracking tools.